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  • 型号: BFP 196W H6327
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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BFP 196W H6327产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS RF NPN 12V 150MA SOT343射频双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR

产品分类

RF 晶体管 (BJT)分离式半导体

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Infineon Technologies BFP 196W H6327-

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/bfp196w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114267ecec60628

产品型号

BFP 196W H6327

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

70 @ 50mA,8V

产品种类

射频双极晶体管

供应商器件封装

PG-SOT343-4

其它名称

BFP 196W H6327-ND
BFP196WH6327
BFP196WH6327XTSA1
SP000745250

功率-最大值

700mW

功率耗散

700 mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

2 V

商标

Infineon Technologies

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

12.5dB ~ 19dB

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-82A,SOT-343

封装/箱体

SOT-343

工厂包装数量

3000

技术

Silicon

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

12V

电流-集电极(Ic)(最大值)

150mA

类型

RF Bipolar Small Signal

系列

BFP196

配置

Single Dual Emitter

集电极—发射极最大电压VCEO

12 V

集电极连续电流

150 mA

零件号别名

BFP196WH6327XTSA1 SP000745250

频率-跃迁

7.5GHz

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